Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2 A 42 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

800V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.7Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

12nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

2A

Maximale Betriebstemperatur

150°C