Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A TO-252

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

210mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

31A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No