Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 41 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 600V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 360mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 9.4nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 9A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 41W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IPD
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 9A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 600V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 360mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 9.4nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 6.73mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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