Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 6 A 41 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 600V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 600mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 9nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 6A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 41W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IPD
Produktbeschreibung
Der 600-V-CoolMOS-P7-Superjunction-(SJ)-MOSFET von Infineon ist der Nachfolger der 600-V-CoolMOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.600 V P7 ermöglicht eine ausgezeichnete FOM R DS(on)xE oss DS(on)XQ GESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2) Integrierter Torwiderstand R G. Robuste Gehäusediode Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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