Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 5 A 49 W, 3-Pin TO-252

Der Infineon CoolMOS TM CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Superjunction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V CoolMOS TM CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on) Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss) Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr) Optimierte integrierte R g.