Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 416 W, 22-Pin PG-HDSOP-22

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.02Ω

Durchlassspannung (Vf)

0.82V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

150nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30 V

Gehäusegröße

PG-HDSOP-22

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

90A