Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 35 A 71 W, 3-Pin PG-TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 120V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 24mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 30nC
- Gehäusegröße
- PG-TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 35A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 71W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IPD
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 35A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 120V
Gehäusegröße = PG-TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 24mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 30nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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