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Infineon IPC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 42 W, 8-Pin SuperSO

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPC50N04S55R8ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRGD4H-DR2DJ6

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
5.8mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
13nC
Gehäusegröße
SuperSO
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
50A
Maximale Betriebstemperatur
175°C

Produktbeschreibung

MOSFET

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