Infineon IPB65R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A, 3-Pin TO-263

Der 600-V-CoolMOS-P7-Superjunction-(SJ)-MOSFET von Infineon ist der Nachfolger der 600-V-CoolMOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2) Integrierter Torwiderstand R G. Robuste Gehäusediode Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich