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Infineon IPB64N25S3-20 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin TO-263

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPB64N25S320ATMA1

Produkt-Nr.: P-DP73KD-DRM2L8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
250V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
20mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
67nC
Gehäusegröße
TO-263
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
64A
Maximale Betriebstemperatur
175°C

Produktbeschreibung

Der Infineon IPB64N25S3-20 ist der N-Kanal-MOSFET für die Automobilindustrie mit 250 V. Der Gehäusetyp des Geräts ist der 3-polige D2PAK und 175 °C Betriebstemperatur.N-Kanal - Anreicherungstyp AEC-Zulassung MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059043822129

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