Infineon IPB020N10N5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 176 A 375 W, 5-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2.5mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 168nC
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 176A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 375W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 5
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IPB020N10N5
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 176A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.5mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 168nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 10.31mm
Automobilstandard = Nein
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043768922
Alle Angebote
| 12 Monate | 2,22 € 2,64 € inkl. MwSt.* | Bestes Angebot | Maximal 3000 verfügbar | ||
| 12 Monate | 6,09 € 7,25 € inkl. MwSt.* |
* zzgl. Versandkosten