Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17 A TO-263

Technische Daten

Automobilstandard

AEC-Q101

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

800V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

40.7mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

17A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No