Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A TO-263

Technische Daten

Automobilstandard

AEC-Q101

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

125mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

120A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No