Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A, 3-Pin TO-263

Name: Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A, 3-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPB120P04P4L03ATMA2

Produkt-Nr.: P-DRGD4D-DR2DJ3

Technische Daten

Automobilstandard: AEC-Q101
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 3.1mΩ
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 120A
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: No
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: iPB

Produktbeschreibung

Der Infineon P-Kanal Logikebene-MOSFET verfügt über die höchste Strombelastbarkeit und 100-prozentige Lawinenprüfung. Er hat die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz.Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

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