Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 80 V / 260 A 375 W, 7-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

P

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.5mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.86V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

178nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

260A