Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 180 A TSDSON
Technische Daten
- Automobilstandard
- Nein
- Channel-Modus
- P
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Gehäusegröße
- TSDSON
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 180A
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- iPB
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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