Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 120 A 313 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.89V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

195nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

120A