Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 13.3 A, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Automobilstandard

AEC-Q101

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

950V

Durchlassspannung (Vf)

1.1V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

13.3A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No

Pinanzahl

3