Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 191 A, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.15mΩ

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

191A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No

Pinanzahl

3