Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A TO-263

Technische Daten

Automobilstandard

AEC-Q101

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

100A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No

Produkt Typ

MOSFET

Serie

iPB