Infineon IPA65R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 18 A, 3-Pin TO-220
Technische Daten
- Automobilstandard
- Nein
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 45mΩ
- Gehäusegröße
- TO-220
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 18A
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IPA65R
Produktbeschreibung
Die Infineon CoolMOS TM C7 Superjunction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS- und Solarwechselrichteranwendungen Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse Niedrige Schaltverluste Bessere Effizienz bei geringer Last Erhöhung der Leistungsdichte Hervorragende CoolMOS-Qualität
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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