Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 84 A 81 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

P

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.9mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

TO-220

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

84A