Infineon IMZ1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 26 A, 4-Pin TO-247
Technische Daten
- Automobilstandard
- Nein
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 1200V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 90mΩ
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 26A
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IMZ1
Produktbeschreibung
Der Infineon CoolSiC 1200 V, 90 mΩ SiC MOSFET im TO247-4-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiter-Prozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen. Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste Referenzspannung mit hohem Schwellenwert, Vth > 4 V. 0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich Robuste und verlustarme Gehäusediode für harte Kommutierung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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