Infineon IMW1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 36 A, 3-Pin TO-247

Der Infineon CoolSiC TM 1200 V, 60 mΩ SiC MOSFET im TO247-3-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen.Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste Referenzspannung mit hohem Schwellenwert, Vth > 4 V. 0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich Robuste und verlustarme Gehäusediode für harte Kommutierung Temperaturunabhängige Abschaltverluste