Infineon IMBG65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 170 A, 7-Pin PG-TO263-7

Technische Daten

Ausgangsleistung

555W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Höhe

4.5mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

170A

Länge

10.2mm

Maximale Betriebstemperatur

175°C