Infineon IMBF1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1700 V / 7.4 A, 7-Pin TO-263

Der Infineon CoolSiC TM SiC-MOSFET mit 1700 V, 650 mΩ in einem TO-263-7-Gehäuse mit hoher Kriechstrecke ist für Fly-Back-Topologien optimiert, die in Hilfsnetzteilen verwendet werden, die an DC-Zwischenkreisspannungen mit 600 V bis 1000 V in zahlreichen Stromversorgungsanwendungen angeschlossen sind.Optimiert für Fly-Back-Topologien Extrem niedrige Schaltverluste 12 V / 0 V Gate-Source-Spannung kompatibel mit Fly-Back-Controllern Vollständig steuerbarer dV/dt zur EMI-Optimierung SMD-Gehäuse mit verbesserten Kriech- und Sicherheitsabständen, > 7 mm