Infineon IMBF1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1700 V / 5.2 A, 7-Pin TO-263

Der Infineon CoolSiC TM SiC-1700-V-, 1000-mΩ-SiC-MOSFET in einem TO-263-7-Gehäuse mit hoher Kriechstrecke ist für Fly-Back-Topologien optimiert, die in Hilfsnetzteilen verwendet werden, die an DC-Zwischenkreisspannungen von 600 V bis 1000 V in zahlreichen Stromversorgungsanwendungen angeschlossen sind.Optimiert für Fly-Back-Topologien Extrem niedrige Schaltverluste 12 V / 0 V Gate-Source-Spannung kompatibel mit Fly-Back-Controllern Vollständig steuerbarer dV/dt zur EMI-Optimierung SMD-Gehäuse mit verbesserten Kriech- und Sicherheitsabständen, > 7 mm