Infineon IMB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 8.1 A 80 W, 7-Pin PG-TO263-7

Name: Infineon IMB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 8.1 A 80 W, 7-Pin PG-TO263-7
Brand: INFINEON
Price: 4.39 EUR
Availability: InStock

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IMBG120R234M2HXTMA1

Produkt-Nr.: P-DRHK8Z-DRXJFP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 1200V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 622mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 7.9nC
Gehäusegröße: PG-TO263-7
Höhe: 4.5mm
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 8.1A
Maximale Betriebstemperatur: 200°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 80W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 7
Produkt Typ: MOSFET
Serie: IMB

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 8.1A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 1200V
Serie = IMB
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 622mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 7.9nC
Maximale Betriebstemperatur = 200°C
Normen/Zulassungen = JEDEC47/20/22, RoHSmm
Automobilstandard = Nein

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