Infineon IGT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A 106 W, 8-Pin PG-HSOF-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.066Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

4.7nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-10 V

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

31A

Maximale Betriebstemperatur

150°C