Infineon IGOT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 44 A 134 W, 20-Pin PG-DSO-20

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.075Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

7.7nC

Gehäusegröße

PG-DSO-20

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

44A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

134W