Infineon IGLR65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9.2 A 34 W, 8-Pin PG-TSON-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.24Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

1.26nC

Gehäusegröße

PG-TSON-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

9.2A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

34W