Infineon IGLR65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7.2 A 28 W, 8-Pin PG-TSON-8

Name: Infineon IGLR65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7.2 A 28 W, 8-Pin PG-TSON-8
Brand: INFINEON
Price: 2.11 EUR
Availability: InStock

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IGLR65R270D2XUMA1

Produkt-Nr.: P-DRHVN6-DRXJHL

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 0.33Ω
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 1nC
Gehäusegröße: PG-TSON-8
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 7.2A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 28W
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: JEDEC for Industrial Applications
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: IGLR65

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 7.2A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Gehäusegröße = PG-TSON-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.33Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 1nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = JEDEC for Industrial Applications
Automobilstandard = Nein

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