Infineon IGBT-Modul / 900 A, 1700 V 20 mW EconoDUALTM3
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 2
- Automobilstandard
- Nein
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- EconoDUALTM3
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 1700V
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 1.7V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 20mW
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 900A
Produktbeschreibung
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 900A
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 1700V
Maximale Verlustleistung Pd = 20mW
Gehäusegröße = EconoDUALTM3
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO = 20 V°C
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = 60068, IEC 60747, 60749
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT