Infineon IGBT-Modul / 750 A, 1200 V 20 mW, 11-Pin AG-ECONOD Oberfläche
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 2
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- AG-ECONOD
- Höhe
- 20.5mm
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 1200V
- Länge
- 152mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 1.75V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 20mW
Produktbeschreibung
Produkt Typ = IGBT-ModulA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 1200V
Maximale Verlustleistung Pd = 20mW
Gehäusegröße = AG-ECONOD
Pinanzahl = 11
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO = 20 V°C
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 152mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT