Infineon IGBT-Modul / 75 A, 1200 V 280 W Modul Panel
Technische Daten
- Automobilstandard
- Nein
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- Modul
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 1200V
- Länge
- 122mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 125°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 2.15V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 280W
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 75A
Produktbeschreibung
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 75A
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 1200V
Maximale Verlustleistung Pd = 280W
Gehäusegröße = Modul
Montageart = Panel
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO = 20 V°C
Maximale Betriebstemperatur = 125°C
Länge = 122mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT