Infineon IGBT-Modul / 75 A, 1200 V 280 W

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

7

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

20 V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

1200V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

2.15V

Maximale Verlustleistung (Pd)

280W

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)

75A

Normen/Zulassungen

No