Infineon IGBT-Modul / 600 A, 1200 V 20 mW, 11-Pin ECONODUAL Typ N-Kanal Oberfläche
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 2
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- ECONODUAL
- Höhe
- 20.8mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 1200V
- Länge
- 152mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 2.1V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 20mW
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 600A
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 11
- Produkt Typ
- IGBT-Modul
Produktbeschreibung
Das Infineon EconoDual Dual IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT4-Technologie mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und Kollektorstrom von 600 A. Er wird in der Motorsteuerung und in Antrieben, Solaranwendungen und USV-Systemen, in der industriellen Heizung und beim Schweißen verwendetKompakte Module Einfache und zuverlässigste Montage Keine Stecker und Kabel erforderlich Ideal für Systeme mit geringer Induktionsinduktionsmacht
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
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