Infineon IGBT-Modul / 295 A, 1.2 kV 1.05 kW, 7-Pin 62MM-Modul Typ N-Kanal Oberfläche

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

2

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

20 V

Gehäusegröße

62MM-Modul

Höhe

29mm

Kabelkanaltyp

Typ N

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

1.2kV

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

2.15V

Maximale Verlustleistung (Pd)

1.05kW