Infineon IGBT-Modul, 1200 V 515 W

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

7

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

20 V

Höhe

17mm

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

1200V

Länge

122mm

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

2.1V

Maximale Verlustleistung (Pd)

515W