Infineon IGBT-Modul, 1200 V 175 W
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 7
- Automobilstandard
- Nein
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Höhe
- 12mm
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 1200V
- Länge
- 51mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 2.25V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 175W
- Normen/Zulassungen
- RoHS
- Produkt Typ
- IGBT-Modul
- Serie
- FP25R12W2T4B
Produktbeschreibung
Produkt Typ = IGBT-Modul
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 1200V
Maximale Verlustleistung Pd = 175W
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO = 20 V°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Breite = 42.5 mmmm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
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