Infineon IGBT mit integrierter Diode / 1 A, 600 V 5.1 W, 3-Pin PG-SOT223 Typ N-Kanal
Technische Daten
- Automobilstandard
- Nein
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- PG-SOT223
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 600V
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 2.3V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 5.1W
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 1A
- Normen/Zulassungen
- RoHS
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- IGBT mit integrierter Diode
- Serie
- 600 V Reverse Conducting Drive 2
Produktbeschreibung
Produkt Typ = IGBT mit integrierter DiodeA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 600V
Maximale Verlustleistung Pd = 5.1W
Gehäusegröße = PG-SOT223
Kabelkanaltyp = Typ N
Pinanzahl = 3
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO = 20 V°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
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