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Infineon IGBT mit integrierter Diode / 1 A, 600 V 5.1 W, 3-Pin PG-SOT223 Typ N-Kanal

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IKN01N60RC2ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRGFSZ-DRZMV4

Technische Daten

Automobilstandard
Nein
Betriebstemperatur min.
-40°C
Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
20 V
Gehäusegröße
PG-SOT223
Kabelkanaltyp
Typ N
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
600V
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
2.3V
Maximale Verlustleistung (Pd)
5.1W
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
1A

Produktbeschreibung

Produkt Typ = IGBT mit integrierter DiodeA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 600V
Maximale Verlustleistung Pd = 5.1W
Gehäusegröße = PG-SOT223
Kabelkanaltyp = Typ N
Pinanzahl = 3
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO = 20 V°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
IGBT

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