Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 90 A, 600 V 333 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
Technische Daten
- Automobilstandard
- Nein
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 600V
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 1.5V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 333W
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 90A
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- RoHS, JEDEC1
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- IGBT-Einzel-Transistor-IC
- Serie
- TRENCHSTOPTM
Produktbeschreibung
Der Infineon verlustarme bipolare Transistor mit isoliertem Gate in Trenchstop- und Fieldstop-Technologie.Hoher Wirkungsgrad Niedrige Schaltverluste Erhöhte Zuverlässigkeit Geringe elektromagnetische Störungen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
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