Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 79 A, 650 V 230 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

±30 V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

650V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

1.35V

Maximale Verlustleistung (Pd)

230W

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)

79A