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Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 4 A, 600 V 6.8 W PG-SOT223

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IKN04N60RC2ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRGFS5-DRZMV8

Technische Daten

Automobilstandard
Nein
Betriebstemperatur min.
-40°C
Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
20 V
Gehäusegröße
PG-SOT223
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
600V
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
2.3V
Maximale Verlustleistung (Pd)
6.8W
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
4A
Normen/Zulassungen
JEDEC47/20/22

Produktbeschreibung

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 4A
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 600V
Maximale Verlustleistung Pd = 6.8W
Gehäusegröße = PG-SOT223
Schaltgeschwindigkeit = 20kHz
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO = 20 V°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = JEDEC47/20/22
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
IGBT

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