Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 4 A, 600 V 6.8 W PG-SOT223
Technische Daten
- Automobilstandard
- Nein
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- PG-SOT223
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 600V
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 2.3V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 6.8W
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 4A
- Normen/Zulassungen
- JEDEC47/20/22
- Produkt Typ
- IGBT-Einzel-Transistor-IC
- Schaltgeschwindigkeit
- 20kHz
Produktbeschreibung
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 4A
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 600V
Maximale Verlustleistung Pd = 6.8W
Gehäusegröße = PG-SOT223
Schaltgeschwindigkeit = 20kHz
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO = 20 V°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = JEDEC47/20/22
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
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