Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 28 A, 650 V 130 W TO-220
Technische Daten
- Automobilstandard
- Nein
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- ±20 ±30 V
- Gehäusegröße
- TO-220
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 650V
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 1.9V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 130W
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 28A
- Normen/Zulassungen
- JEDEC47/20/22
- Produkt Typ
- IGBT-Einzel-Transistor-IC
- Serie
- 5th Generation
Produktbeschreibung
IGBT
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
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