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Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 28 A, 650 V 130 W TO-220

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IKP28N65ES5XKSA1

Produkt-Nr.: P-DRD7PV-DRV4ZP

Technische Daten

Automobilstandard
Nein
Betriebstemperatur min.
-40°C
Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
±20 ±30 V
Gehäusegröße
TO-220
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
650V
Maximale Betriebstemperatur
175°C
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
1.9V
Maximale Verlustleistung (Pd)
130W
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
28A
Normen/Zulassungen
JEDEC47/20/22

Produktbeschreibung

IGBT

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Artikeltyp
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