Infineon IGBT / 900 A, 1200 V 20 mW, 11-Pin AG-ECONOD Typ N-Kanal Oberfläche
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 2
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- AG-ECONOD
- Höhe
- 20.5mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 1200V
- Länge
- 152mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 1.8V
Produktbeschreibung
Das Infineon EconoDUAL TM 3 1200 V, 900 A zweifache Trenchstop ® IGBT7-Modul mit Emitter-gesteuerter 7-Diode, NTC und Pressfit-Kontakttechnologie. Auch erhältlich mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien.Höchste Leistungsdichte Best-in-Class-VCE-Sat TVJ op = 175 °C Überlast Verbesserte Anschlussklemmen Optimierte Kriechstrecke für 1500-V-PV-Anwendungen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT