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Infineon IGBT / 80 A, 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IGB50N65S5ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRFWH6-DRXJYR

Technische Daten

Automobilstandard
Nein
Betriebstemperatur min.
-40°C
Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
30 V
Gehäusegröße
PG-TO-263
Kabelkanaltyp
Typ N
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
650V
Maximale Betriebstemperatur
175°C
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
1.7V
Maximale Verlustleistung (Pd)
270W
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
80A

Produktbeschreibung

Der Infineon IGB50N65S ist ein 50-A-IGBT mit antiparalleler Diode ohne Gate-Klemmkomponente. In diesem weichen Stromabfallverhalten ohne Rückstrom ist es ausgezeichnet für die Parallelschaltung geeignet.Sehr niedriger VCEsat von 1,35 V bei 25 °C Maximale Sperrschichttemperatur TVJ 175 °C. Vierfacher Nennstrom

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
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