Infineon IGBT / 80 A, 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
Technische Daten
- Automobilstandard
- Nein
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 30 V
- Gehäusegröße
- PG-TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 650V
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 1.7V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 270W
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 80A
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- IGBT
- Serie
- TrenchStop
Produktbeschreibung
Der Infineon IGB50N65S ist ein 50-A-IGBT mit antiparalleler Diode ohne Gate-Klemmkomponente. In diesem weichen Stromabfallverhalten ohne Rückstrom ist es ausgezeichnet für die Parallelschaltung geeignet.Sehr niedriger VCEsat von 1,35 V bei 25 °C Maximale Sperrschichttemperatur TVJ 175 °C. Vierfacher Nennstrom
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
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