Infineon IGBT / 70 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 400 W, 23-Pin Typ N-Kanal Panel

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

6

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

20 V

Höhe

20.5mm

Kabelkanaltyp

Typ N

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

1200V

Konfiguration

Gemeinsamer Emittent

Länge

107.5mm

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

2.75V