Infineon IGBT / 50 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 20 mW Modul Typ N-Kanal Panel
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 6
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- Modul
- Höhe
- 16.4mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 1200V
- Konfiguration
- Gemeinsamer Emittent
- Länge
- 62.8mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 125°C
Produktbeschreibung
IGBT
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT