Infineon IGBT / 50 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 20 mW Modul Typ N-Kanal Panel

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

6

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

20 V

Gehäusegröße

Modul

Höhe

16.4mm

Kabelkanaltyp

Typ N

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

1200V

Konfiguration

Gemeinsamer Emittent

Länge

62.8mm

Maximale Betriebstemperatur

125°C